Mohammed Abd Alkader CV 2012

C.V.

Mohammed Abd Alkader Abd_Allah Mahmoud

Commerce Bachelor – economics department

Financial Analyst

Basic information:-

·        Name: Mohammed Abd Alkader

·        Date of Birth: 22/1/1984

·        Nationality: Egyptian

·        Gender: Male

·        Address: Helwan

·      Insurance status: insured on 

·        Military status: Exempted

·        Marital status: single

·        Phone: 01003153833

·        E-Mail: maam2222@msn.com

·        Web Site: https://docs.google.com/document/d/17KFmEIT-L-zAlzES2Q05ikpRarQkyQL36b_SEmCkEIg/edit?pli=1#

Licenses and certificates:-

·        Stock markets analysis diploma – faculty of economic and political sciences – 2011-2012.

·        Stock market Technical analysis course – institute of statistical studies & research – 2011.

·        Microsoft Certificate for system engineering MCSE all levels (faculty of Engineering / Cairo university) – 2009.

·        Finalizing English advanced stage (up to level 12) MODLI – 2009.

·        ICDL – 2008.

·        Commerce Bachelor – Economics Department – zagazig university 2005

·        Others.

Skills:-

·        Computer : Excellent.

o   Word and excel: Excellent.

o   Internet: Excellent.

o   Networks design, maintenance and administrating: good.

o   Auto cad: good.

·        Languages:

o   Arabic: Native.

o   English: very good reading, writing, and speaking.

o   French and Spanish: studied before, But my present skills are poor.

·        Hard Worker, success lover, and excellent cooperator.

·        Very good Printing, Faxing, and office tools using, and preparing professional researches and reports.

Experiences:-

·        Information responsible and document controller in Badr- Alfayum Regional Road project – NCCD Asmant contract, Benaa for projects management subcontractor.

·        Sales and management in Portsaid company for electronics 2005-2009.

·        Journalist in (Akhbar Alcomputer) journal "not working now" 2005

Hobbies:-

·        Studying what improves my experiences and knowledge in my fields.

·        Reading sciences books (especially about biology, physics, technology, and metaphysics), and reading novels.

·        Playing sports (regularly playing athletics, and played wrestling "got 2^nd spot in republic schools summer championship (preparatory schools).

·        Others..

The possible jobs I can be useful in are:

·        Financial Analyst

·        Assistant financial Analyst

·        Any suitable job related to financial researches and reports

Regarding to that I have no terms about the salary as long as the job is suitable to my education and skills I have no preferences about the job rank.

الترانزستور العديم القطبية MOSFET

MOS FET إختصاراً ل The metal–oxide–semiconductor field-effect transistor وهو يعنى الترانزستورات المؤثرة على المجال المبنية باستخدام أشباه موصلات مصنوعة من أكاسيد المعادن.

وهو وحدة تستخدم فى تضخيم أو التحكم فى (Switching) إشارة كهربائية.

المبادىء الأساسية لهذه الوحدة بنيت سنة 1925 بواسطة يوليوس إدجار ليلينفيلد.

فى المصفط. إعطاء إشارة بشدة تيار معينة لقطب (البوابة المعزولة بالأكسيد) يؤدى إلى خلق قناة توصيل بين نقطتى التلامس (القطبين) الآخرين للمصفط المسميان Source (المصدر) و drain (المستنزف).

هذه القناة قد تكون n-type أو p-type (سيتم شرحها لاحقاً) وبناءاً على نوع القناة يتم تسمية المصفط nMOSFET أو pMOSFET

وشائع إختصارها إلى nMOS, pMOS ... والآن تعتبر المصفتات هى المكون الأكثر إستخداماً فى الدوائر سواء الأحادية أو الرقمية. بعد أن كان الترانزستور العادى (الثنائى القطبية) هو الأكثر إستخداماً.

أكاسيد المعادن فى تسمية المصفط صار بعد فترة إسم دارج فقط وليس إشارة إلى تركيب المصفط لأن البوابة المنطقية السابقة الصنع من أكاسيد المعدن (الألومنيوم) أصبحت الآن طبقة من البولى سيليكون (polycrystalline silicon). وكان الألومنيوم هو مادة البوابة المنطقية حتى منتصف السبعينات من القرن الماضى عندما أصبح البولى سيليكون المسيطر على صناعة المصفط لمناسبته لتقنية ال  self-aligned gates (وهى الطريقة الصناعية التى أبتكرت خلال تلك الآونة لتأكيد التقاطع بين البوابة وأطراف ال source و drain بهدف الوصول إلى دقة فى صناعة المصفط بطريقة أكثر عملية مما قلل من حجمه وذادت من الموثوقية فى عمل المصفط  فقد كانت طريقة الصناعة السابقة يحدث فيها أحياناً عدم تقاطع بين البوابة وقطبى المصفط مما يؤدى إلى مصفط لا يعمل. ولهذا فكان يجب إبتكار حل لهذه المشكلة الكبرى وتم تسمية هذا الحل ب self-aligned gate.)

وتبدأ الآن البوابات المنطقية فى العودة إلى المعادن مرة أخرى بمعادن جديدة ذات صفات أفضل مثل عنصر الهافميوم , إذ اصبح من الصعب رفع سرعة العمليات بالمصفط بالبوابات المصنوعة من السليكون الحالية.

IGFET هو مصطلح مرتبط معناه Insulated-gate field-effect transistor (الترانزستور المؤثر على المجال المبنى باستخدام البوابات المعذولة) ويستخدم أحياناً فى نفس الدوائر مع المصفط وبوابته ليست أكاسيد. ويوجد أيضاً ال MISFET ومعناه  metal–insulator–semiconductor FET.

شكل المصفط. والمثال فى الصورة لمصفط يستخدم كسويتش فى دائرة باور وبإمكانه يضمن إيقاف تيار بشدة 120 فولت فى الحالة الغير نشطة ويمكنه توصيل تيار بشدة 30 امبير فى الحالة النشطة.

قطاع من nMOSFET . عندما تكون شدة التيار (الفولت) (Vgs) أقل من حد فتح قناة التوصيل .لا يمر إلا تيار فى غاية الإنخفاض أو لا يمر نهائياً بين الطرف الخارجى Source والمستنزف Drain , فعندها يكون المصفط سويتش مغلق. وعندما تصبح شدة التيار عند البوابة موجبة أكثر من هذا الحد فإنها تجذب إلكترونات محدثة قناة توصيل من النوع n-type بالمادة تحت الأوكسيد مما يسمح بالإلكترونات بالمرور بين الأطراف. ويكون السويتش مفتوح.

محاكاه لتشكيل قناة الإنقلاب بين المصدر والمستنزف بالمصفط (Electron density) وبلوغ شدة تيار فتح القناة (IV) .. مع ملاحظة أن شدة تيار فتح القناة فى هذه الحالة حول 0.45 فولت

تركيب المصفط

عادة ما يكون شبه الموصل المستخدم هو السيليكون. ولكن بعض المصنعين وأشهرهم IBM أصبحو يستخدمو مركب كيميائى من السيليكون والجيرمانيوم (SiGe) فى قنوات المصفط.

ولسوء الحظ فكثيراً من اشباه الموصلات ذوات الخواص الكهربية الأفضل من السيليكون مثل أرسينيد الجاليوم (gallium arsenide) لا يشكلون عازل قوى فى حالة إغلاق المصفط. والبحوث تجرى لخلق أشباه موصلات جديدة بخواص مقبولة.

للتغلب على مشكلة زيادة إستهلاك الطاقة بسبب تسرب التيار فقد إبتكرو high-κ dielectric  كمادة بديلة لأوكسيد السيليكون كقنطرة بالبوابة (gate)

وتصنع البوابة مفصولة عن قناة الإنقلاب بطبقة عازلة رفيعة غالباً من خليط من مركبات السيليكون. , وبعض المصنعين بدءوا حالياً فى تقديم منتجاتهم باستخدام high-κ dielectric + metal gate combination فى المعمارية 45 نانومتر.

عندما يمر تيار بين البوابة ومخارج المصفط فإن المجال الكهربى المولد يمر خلال الأوكسيد ويخلق قناة إنقلاب فى واجهة العزل - التوصيل . وهذه القناة من نفس النوع مثل ال source and drain (نوع موجب أو سالب) n-type أو p-type. وعليها فتتشكل قناة يمر من خلالها التيار. وعلى حسب التيار المار بين البوابة وجسم المصفط يختلف رد فعل المصفط تبعاً لتركيبه.

رموز الدوائر.

 

أساسيات الترانزستور

  يمكن وصف الترانزستور بأنه نوع من السويتشات مثل كثير من المكونات الإلكترونية الآخرى.

 ويستخدم الترانزستور فى العديد من الدوائر, ويندر أن تبنى أى دائرة بدون وجود على الأقل ترانزستور واحد فى مكوناتها فهما مركز الإلكترونيات. ويوجد نوعان من الترانزستور (NPN, PNP). ومعظم الدوائر تميل إلى إستخدام النوع NPN.

ويوجد المئات من أنواع الترانزستور التى تعمل على مستويات مختلفة من شدة التيار, ولكن كل الترانزستورات توجد فى التصنيفين التاليين

جميع الترازستورات لها 3 أرجل

Base وهو الرجل المسئول عن تنشيط وإغلاق الترانزستور

Collector  وهو الرجل المتصل بالقطب الموجب

Emitter وهو الرجل المتصل بالقطب السالب

والرسم بأعلى هو لنموذج الترانزستور NPN , ويجب ملاحظة أن ترتيب الأرجل ليس دائماً كما هو فى النموذج ولكن يجب ملاحظة المكتوب على الترانزستور, وفى النوع الأول غالباً يوجد النتوء بالإطار أعلى الأرجل للإشارة لرجل ال Emitter

إستخدام بسيط للترانزستور





 

رسم مبسط للترانزستور NPN الذى يستخدم غالباً كسويتش,

 حيث عندما يمر تيار كهربى ضئيل برجل الBase     

يسمح بتيار قوى للمرور خلال الرجلين الآخرين       

الدائرة الموضحة بالأعلى مبنية على ترانزستور NPN. فعندما ينفتح السويتش يمر تيار من خلال المقاومة إلى الترانزستور. فيسمح الترانزستور بمرور تيارمن القطب الموجب إلى السالب (+9 إلى 0) فيضىء المصباح LED

يجب على الترانزستور أن يتلقى تيار عند ال Base  ليضىء ال LED

المقاومة بالدائة هدفها حماية الترانزستور لأن الترانزستور يمكن أن بتلف بسهولة بمرور تيار كبير خلا ال base والمقاومات عنصر أساسى فى الدوائر ويمكن إستخدامها أحياناً فى تضخيم الإشارات.